特許

J-GLOBAL ID：200903018992139210

基板処理装置及びこれに用いられる加熱装置並びにこれらを利用した半導体の製造方法

発明者： 宮田 敏光 ,  林田 晃 ,  島田 真一 ,  北村 公男 ,  田中 健司
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気 ,  貞徳舎株式会社
代理人 (1件)： 北村 光司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006316501
公開番号（公開出願番号）：WO2007-023855
出願日： 2006年08月23日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

基板を収納し処理する処理室と、発熱体と断熱材とを有し、この発熱体により処理室内の基板を加熱する加熱装置を設ける。前記発熱体は一端のみを保持部によって保持されるように形成され、前記断熱材には発熱体の中間部で処理室側に突出し発熱体に近接又は接当する突起を設けてある。拡大部を有するピンを前記発熱体の中間部において発熱体及び断熱材に貫通させて前記拡大部を発熱体に近接又は接当させる。前記断熱材に前記突起を複数設け、これら複数の突起間に前記ピンを配置してもよい。

請求項（抜粋）：

基板を収納し処理する処理室と、発熱体と断熱材とを有し、前記発熱体により前記処理室内の基板を加熱する加熱装置を設け、前記発熱体は一端のみを保持部によって保持されるように形成され、前記断熱材には発熱体の中間部で処理室側に突出し発熱体に近接又は接当する突起を設けてあり、拡大部を有するピンを前記発熱体の中間部において発熱体及び断熱材に貫通させて前記拡大部を発熱体に近接又は接当させた基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/324 ,  H05B 3/06 ,  H05B 3/64 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L21/22 511A ,  H01L21/324 K ,  H05B3/06 C ,  H05B3/64 ,  H01L21/31 E

Fターム (14件)：

3K092PP09 ,  3K092QA04 ,  3K092QB27 ,  3K092SS02 ,  3K092SS04 ,  3K092SS05 ,  3K092TT19 ,  3K092TT40 ,  3K092VV26 ,  3K092VV34 ,  5F045DP19 ,  5F045EJ06 ,  5F045EK06 ,  5F045EK08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ヒータ支持装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-238849   出願人：国際電気株式会社
• 電気ヒーター及びこれを備えた炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-305579   出願人：貞徳舎株式会社