特許

J-GLOBAL ID：200903019002012624

半導体装置の製造方法

発明者： 川崎 洋司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211630
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064346
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 シリコンの表面に不要な酸化膜が形成されデバイスの電気的特性が劣化する。【解決手段】 シリコン基板1上にゲート酸化膜4及びゲート電極5を形成した後、ソース/ドレイン領域2となる領域が開口部となるレジストパターン17を形成した後、窒素原子を面密度1×1013〜2×1015cm-2でイオン注入した後、レジストパターン17を除去し、窒素雰囲気中で700〜900°Cの熱処理を施すことによって窒素含有層16及びその表面に1×1020〜1×1022cm-3の高濃度に窒素が含まれる高濃度窒素含有層18を形成する。その後、ソース/ドレイン領域2となる領域が開口部となるレジストパターン6を形成し、リンイオンをイオン注入した後、800°Cで熱処理を施すことによってソース/ドレイン領域2を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコンからなる領域に面密度1×1013〜2×1015cm-2の不純物元素をイオン注入した後、所定温度範囲内で熱処理を施すことによって、上記シリコンからなる領域の表面層に上記イオン注入された不純物元素が1×1020〜1×1022cm-3の高濃度に含まれる高濃度不純物元素含有層を形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 J ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044173   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭61-263274
  
• 特開昭61-263274