半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044173
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176743
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 P型シリコン基板1上に形成されるゲート酸化膜36及びP+ 型ゲート電極中には窒素がドープされている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた第1導電型の第1の電極と、前記第1の電極を挟んで前記半導体基板に設けられたソース/ドレイン領域とを備え、前記第1の絶縁膜及び前記第1の電極には、窒素がドープされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D

引用特許：

審査官引用 (36件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197248 出願人：ソニー株式会社
特開平2-237024
特開平4-157766

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