ガス貯蔵性有機金属錯体、その製造方法およびガス貯蔵装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-360174
公開番号（公開出願番号）：特開2000-178279
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：

【要約】【課題】安価であるとともに体積当たりのガス吸着能が高く、繰り返し特性の良好なガスの貯蔵技術を提供する。【解決手段】2価の金属イオン、前記金属イオンに配位可能な原子を有する2座配位可能なアミド結合を分子内に有する有機配位子より構成される三次元構造を有する有機金属錯体。

請求項（抜粋）：

2価の金属イオン、前記金属イオンに配位可能な原子を有する2座配位可能なアミド結合を分子内に有する有機配位子より構成される三次元構造を有する有機金属錯体。

IPC (3件)：

C07F 3/08 , F02M 21/02 , F17C 11/00

FI (3件)：

C07F 3/08 , F02M 21/02 X , F17C 11/00 A

Fターム (16件)：

3E072AA03 , 3E072AA10 , 3E072DA05 , 3E072EA10 , 4H048AA01 , 4H048AA02 , 4H048AA03 , 4H048AB90 , 4H048AC90 , 4H048VA00 , 4H048VA20 , 4H048VA30 , 4H048VA32 , 4H048VA56 , 4H048VA68 , 4H048VB10

前のページに戻る