特許

J-GLOBAL ID：200903019069951358

絶縁膜を有する半導体装置の製造方法

発明者： 西尾 英俊 ,  濱田 由美子 ,  上杉 宏之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114799
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115092
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜を有する半導体装置の製造方法と製造装置に関し、ドライプロセスのみで幅広の段差部を含めて下地の凹凸を反映しない絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 表面に凹凸のある構造を有する半導体基板を準備する工程と、シラザン結合を有する有機シリコンと酸化剤を用いてプラズマを発生させ、プラズマ化学気相堆積(CVD)によって前記半導体基板上に下地の凹凸を反映しない絶縁膜を堆積する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸のある構造を有する半導体基板を準備する工程と、シラザン結合を有する有機シリコンと酸化剤を用いてプラズマを発生させ、プラズマ化学気相堆積(CVD)によって前記半導体基板上に下地の凹凸を反映しない絶縁膜を堆積する工程とを含む絶縁膜を有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-359515
  
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093903   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• 特開平2-281627