特許

J-GLOBAL ID：200903019071216410

半導体装置およびその製造方法、製造装置

発明者： 佐久間 憲之 ,  本間 喜夫 ,  伊藤 親市
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026506
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183062
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【構成】下層の配線用導電膜21と上層の配線用導電膜22とを接続する孔部41が直径1.0μm未満で、さらに有機SOG膜32が接続孔部に露出している場合、有機SOG膜32形成後の熱処理温度を300°Cまたは上層配線用導電膜22の形成時の温度以上、450°C未満で10分以上行ない、この熱処理からその上層配線用導電膜22の形成までを0.1Torr以下の圧力下で行う。【効果】接続部における有機SOG膜からの水分を完全に除去し、上層の配線用導電膜を形成する際に水分の影響を受けず良好な膜が得られ、接続部における導通不良を防止することができる。

請求項（抜粋）：

配線用導電膜の絶縁に塗布絶縁膜を用い、直径が1.0μm未満の微細な接続孔を有する半導体装置において、少なくとも前記接続孔の一部に塗布絶縁膜が露出し配線用導電膜と接触している構造が少なくとも一部に含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-184329
  
• 熱型赤外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-343964   出願人：株式会社村田製作所
• 特開平2-235331
  
• 特開平2-302038