特許

J-GLOBAL ID：200903019072101918

半導体素子のキャパシタ及びその製造方法

発明者： チュル ジュ ホワン ,  キ バム キム
出願人/特許権者： チュル ジュ ホワン
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-220171
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058878
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 優れた高誘電膜特性と安定性を有する新しい高誘電膜を用いた半導体素子のキャパシタを提供する。【解決手段】 下部電極230、誘電膜及び上部電極250からなる半導体素子のキャパシタを製造する方法であって、半導体基板200の上部に下部電極230を形成する段階と、タンタルエトキシドガスをタンタルと酸素のソースとして、アンモニアガスを窒素のソースとしてそれぞれ用いる化学気相蒸着工程を適用して下部電極230上に誘電膜のタンタル窒化酸化膜240を形成する段階と、タンタル窒化酸化膜上に上部電極250を形成する段階とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上部に形成された下部電極と、前記下部電極上に誘電膜として形成されたタンタル窒化酸化膜とを含む半導体素子のキャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 29/94 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 29/94 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (4件)

• タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-072504   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-134013
  
• 強誘電体膜形成方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-083034   出願人：日新電機株式会社
• 特開昭61-134013