半導体装置用回路部材の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井育郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-198737
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024141
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】製造工程を簡略化し、使用する材料を減らして製造コストの低減を可能にする。【解決手段】絶縁層21にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも次の工程を行うことを特徴とする半導体装置用回路部材の製造方法。(1)金属基材を用意し、この金属基材にエッチングストップ層を先に形成し、続いてそのエッチングストップ層の上にリード及び吊り部となる配線メッキ層を形成する工程。(2)金属基材におけるリード形成面と反対側の面との両面に可溶性でポジ型の感光性を有するポリイミドワニスを塗布して乾燥させ、両面にそれぞれ仮キュア状態の感光性ポリイミド樹脂材料層を形成する工程。(3)金属基材におけるリード形成面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、リードの一部を露出させる開口を有するように絶縁層を形成し、その絶縁層をマスクとしてメッキすることでリード表面に外部端子を形成する工程。(4)金属基材におけるリード形成面と反対側の面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層をそのリード形成領域に対応する部分を除くようにフォトリソグラフィー法によりパターニングし、残った絶縁部分をマスクとして金属基材を選択的にエッチングすることで外形リングとなる部分よりも内側を除去する工程。(5)エッチングストップ層をエッチングし、各リード及び吊り部を独立させる工程。

IPC (3件)：

H01L 23/50 , G03F 7/20 501 , C08G 73/10

FI (3件)：

H01L 23/50 W , G03F 7/20 501 , C08G 73/10

Fターム (93件)：

2H097BA06 , 2H097FA02 , 2H097LA10 , 4J043PB03 , 4J043PB04 , 4J043PB05 , 4J043PC015 , 4J043PC135 , 4J043PC145 , 4J043QB15 , 4J043QB26 , 4J043QB31 , 4J043RA35 , 4J043SA03 , 4J043SA06 , 4J043SA42 , 4J043SA43 , 4J043SA44 , 4J043SA62 , 4J043SA71 , 4J043SA82 , 4J043SA83 , 4J043SA87 , 4J043SB01 , 4J043SB02 , 4J043TA22 , 4J043TA47 , 4J043TA52 , 4J043TA53 , 4J043TA67 , 4J043TA75 , 4J043TA76 , 4J043TA79 , 4J043TB01 , 4J043TB02 , 4J043UA012 , 4J043UA032 , 4J043UA082 , 4J043UA121 , 4J043UA122 , 4J043UA131 , 4J043UA132 , 4J043UA141 , 4J043UA151 , 4J043UA221 , 4J043UA231 , 4J043UA262 , 4J043UA361 , 4J043UA632 , 4J043UA662 , 4J043UA672 , 4J043UA712 , 4J043UA762 , 4J043UB011 , 4J043UB022 , 4J043UB061 , 4J043UB062 , 4J043UB121 , 4J043UB122 , 4J043UB131 , 4J043UB151 , 4J043UB152 , 4J043UB221 , 4J043UB281 , 4J043UB301 , 4J043UB302 , 4J043UB351 , 4J043UB401 , 4J043UB402 , 4J043VA011 , 4J043VA021 , 4J043VA031 , 4J043VA041 , 4J043VA051 , 4J043VA061 , 4J043VA062 , 4J043VA071 , 4J043VA081 , 4J043VA101 , 4J043ZB22 , 4J043ZB50 , 5F067AA10 , 5F067AB04 , 5F067AB07 , 5F067BC00 , 5F067BC07 , 5F067CC01 , 5F067CC07 , 5F067DA00 , 5F067DA16 , 5F067DC02 , 5F067DC11 , 5F067DC12

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置、その製造方法及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-327938 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-136681 出願人：九州日本電気株式会社
特開昭63-013032

審査官引用 (3件)

半導体装置、その製造方法及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-327938 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-136681 出願人：九州日本電気株式会社
特開昭63-013032

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