特許
J-GLOBAL ID：200903087065701557

半導体装置、その製造方法及び電子機器

発明者：
大沢 健治

大沢 健治 について

, 
大出 知志

大出 知志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327938
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163022
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 ワイヤボンディングタイプのCSP或いはBGAタイプの半導体装置の微細ボール電極の搭載を可能にし、電極形成孔の小径化、配線膜のファインパターン化、外形精度の高精度化、製造の容易化を図る。【解決手段】 絶縁性樹脂からなるベース5の一方の表面部に複数の配線膜4を該膜表面が該ベース表面と同一平面上に位置し少なくとも一部の配線膜が上記ベースの電極形成孔8と重なるように形成し、各電極形成孔8を導電性材料で埋めてその反配線膜側面に突出する外部電極6を形成し、ベース5の上記一方の表面上に絶縁材料膜11を介して半導体素子14を接着し、その各電極と、それに対応する各配線膜4とがワイヤ15を介してボンディングし、半導体素子14、該配線膜4及びワイヤ15を樹脂16で封止する。
請求項（抜粋）：
絶縁性樹脂からなり電極形成孔を有するベースの一方の表面部に複数の配線膜を該膜表面が上記ベース表面と同一平面上に位置し少なくとも一部の配線膜が上記電極形成孔と重なるように形成され、上記各電極形成孔が導電性材料で埋められその反配線膜側面に突出する外部電極が形成され、上記ベースの上記一方の表面上に絶縁材料膜を介して半導体素子がこの裏面にて接着され、上記半導体素子の各電極と、それに対応する各配線膜とがワイヤを介してボンディングされ、上記配線膜及び上記ワイヤが樹脂で封止されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/52 A ,  H01L 23/12 L
引用特許：
審査官引用 (2件)

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