特許

J-GLOBAL ID：200903019084296609

窒化物系半導体層の製造方法

発明者： 砂川 晴夫 ,  碓井 彰
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091963
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284314
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】ヘテロ基板上にエピタキシャル成長した窒化物系半導体層から基板を除去する際に窒化物系半導体成長層に与える影響を抑制する。【解決手段】(0001)面のサファイア基板11上に塩化物輸送法の気相成長により平坦な表面で結晶性が良好な厚さ250μmのGaN膜15を成長する。次に、サファイア基板材料を溶解するエッチング液を用いて、サファイア基板上11上に成長したGaN厚膜15から基板11を溶解して除去する。

請求項（抜粋）：

基板材料を溶解するエッチング液を用いて、ヘテロ基板上に成長した窒化物系半導体層から前記ヘテロ基板の除去を行うことを特徴とする窒化物系半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/306 D

Fターム (22件)：

5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F043AA16 ,  5F043AA31 ,  5F043AA37 ,  5F043BB06 ,  5F043BB25 ,  5F043DD07 ,  5F043GG10 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA23

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体基板の製造方法および半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-074863   出願人：株式会社リコー