特許
J-GLOBAL ID：200903052165721409
半導体基板の製造方法および半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074863
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260737
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 クラックがなく、結晶欠陥や歪みなどが低減された高品質のGaN系化合物半導体により構成される半導体基板の製造方法および半導体発光素子を提供する。【解決手段】 単結晶基板21の表面上に、選択成長のための核発生層22を積層し、該核発生層22上に、選択成長用マスク23を積層し、該選択成長用マスク23のマスクパターンを通して、GaN系化合物半導体層24を選択成長し、この際、選択成長のための核発生層22をAlN層で構成し、このAlN層を選択的にエッチング除去することによってGaN系化合物半導体層24を分離して半導体基板を作製する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板表面上に、選択成長のための核発生層を積層し、該核発生層上に、選択成長用マスクを積層し、該選択成長用マスクのマスクパターンを通して、GaN系化合物半導体層を選択成長して形成した半導体基板において、選択成長のための核発生層をAlN層で構成し、このAlN層を選択的にエッチング除去することによってGaN系化合物半導体層を分離して作製されることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
