特許
J-GLOBAL ID：200903019087642710
3-5族化合物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066254
公開番号（公開出願番号）：特開平8-325094
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】後処理を施さなくてもp型伝導を示す3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】有機金属原料ガスを用いてp型不純物を含む一般式Inx Gay Alz N(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体熱分解気相成長法において、水素濃度が0.5容量%以下である不活性ガスをキャリアガスとして用いるか、ハロゲン化水素、ハロゲン元素と5族元素の化合物、及びハロゲン元素と水素と5族元素の化合物からなる群から選ばれた少なくとも1つの化合物により反応炉内をエッチングした後、水素濃度が0.5容量%以下である不活性ガスをキャリアガスとして用いる方法より成る。
請求項（抜粋）：
有機金属原料ガスを用いた熱分解気相成長法による、p型不純物を含む一般式Inx Gay Alz N(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体の製造方法において、水素濃度が0.5容量%以下である不活性ガスをキャリアガスとして用いることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 25/14
, H01L 21/205
, H01L 33/00
C30B 25/14
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
