特許
J-GLOBAL ID：200903019119873736
半導体装置のコンタクトホ-ル製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045878
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021985
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 相異なる高さを有する複数個のコンタクトホールをできるだけ小さいサイズで容易に形成でき、しかも工程余裕度を最大化できる、蝕刻障壁膜パターンを用いた半導体装置のコンタクトホール製造方法を提供する。【解決手段】 多層の層間絶縁膜内に相異なる高さで形成される複数個のコンタクトホールを限定する蝕刻障壁膜パターンを下部層間絶縁膜の上に形成し、蝕刻障壁膜パターンの一部領域を蝕刻マスクとして用いて下部層間絶縁膜にコンタクトホールを形成した後、コンタクトホールを埋め込む導電膜パターンを形成する。次に、上部層間絶縁膜を形成し、上部層間絶縁膜の上にマスクパターンを形成した後、マスクパターンを用いて上部層間絶縁膜を蝕刻し、露出された蝕刻障壁膜パターンをマスクとして用いて下部層間絶縁膜を蝕刻して、上部および下部層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを完成する。
請求項（抜粋）：
(a)第1および第2導電領域が形成された半導体基板を提供する段階と、(b)前記第1および第2導電領域が形成された半導体基板の全面に下部層間絶縁膜を形成する段階と、(c)前記下部層間絶縁膜の上に、前記第1導電領域を露出させる第1コンタクトホールを限定する第1蝕刻障壁膜パターンと、前記第2導電領域を露出させる第2コンタクトホールを限定する第2蝕刻障壁膜パターンとを形成する段階と、(d)前記第1蝕刻障壁膜パターンを蝕刻マスクとして用いて前記下部層間絶縁膜を蝕刻して、前記第1導電領域を露出させる前記第1コンタクトホールを形成する段階と、(e)前記第1コンタクトホールを埋め込む導電膜パターンを形成する段階と、(f)前記導電膜パターンが形成された前記半導体基板の全面に上部層間絶縁膜を形成する段階と、(g)前記上部層間絶縁膜の上に、前記第2コンタクトホールを限定する前記第2蝕刻障壁膜パターンを露出させるための第3コンタクトホールを限定するマスクパターンを形成する段階と、(h)前記マスクパターンを用いて前記上部層間絶縁膜を蝕刻した後、該蝕刻された上部層間絶縁膜によって露出された前記第2蝕刻障壁膜パターンを用いて前記下部層間絶縁膜を蝕刻して、前記第2導電領域を露出させて、前記上部層間絶縁膜を貫通する前記第3コンタクトホールと前記下部層間絶縁膜を貫通する前記第2コンタクトホールとから構成される第4コンタクトホールを完成する段階と、を含むことを特徴とする半導体装置のコンタクトホール製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/90 C
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 681 B
