特許
J-GLOBAL ID:200903019154013227

ベンゾトリアゾール構造含有高分子及びその製造方法、並びに電荷輸送材料及び有機電子デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 真田 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-264198
公開番号(公開出願番号):特開2006-077171
出願日: 2004年09月10日
公開日(公表日): 2006年03月23日
要約:
【課題】 n型有機半導体材料となり得る、電子吸引性に優れた高分子を提供する。【解決手段】 下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有させる。(式(1)中、R1〜R3はそれぞれ独立に水素原子又は1価の置換基を表わす。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有する ことを特徴とする、ベンゾトリアゾール構造含有高分子。
IPC (5件):
C08G 61/00 ,  H01M 14/00 ,  H01L 51/50 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786
FI (6件):
C08G61/00 ,  H01M14/00 P ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B
Fターム (55件):
3K007DB03 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032BB06 ,  4J032BC02 ,  4J032CA04 ,  4J032CA12 ,  4J032CA14 ,  4J032CA24 ,  4J032CG01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK11 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032EE04
引用特許:
審査官引用 (4件)
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引用文献:
審査官引用 (2件)

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