特許
J-GLOBAL ID:200903019154013227
ベンゾトリアゾール構造含有高分子及びその製造方法、並びに電荷輸送材料及び有機電子デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
真田 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-264198
公開番号(公開出願番号):特開2006-077171
出願日: 2004年09月10日
公開日(公表日): 2006年03月23日
要約:
【課題】 n型有機半導体材料となり得る、電子吸引性に優れた高分子を提供する。【解決手段】 下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有させる。(式(1)中、R1〜R3はそれぞれ独立に水素原子又は1価の置換基を表わす。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有する
ことを特徴とする、ベンゾトリアゾール構造含有高分子。
IPC (5件):
C08G 61/00
, H01M 14/00
, H01L 51/50
, H01L 51/05
, H01L 29/786
FI (6件):
C08G61/00
, H01M14/00 P
, H05B33/14 A
, H05B33/22 B
, H01L29/28
, H01L29/78 618B
Fターム (55件):
3K007DB03
, 4J032BB01
, 4J032BB03
, 4J032BB06
, 4J032BC02
, 4J032CA04
, 4J032CA12
, 4J032CA14
, 4J032CA24
, 4J032CG01
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG07
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110GG58
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK10
, 5F110HK11
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032AS19
, 5H032BB07
, 5H032BB10
, 5H032EE04
引用特許: