特許

J-GLOBAL ID：200903019159577889

抵抗率が低いn型又はp型金属シリコンの製造方法

発明者： 吉田 博
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-223304
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067768
出願日： 1997年08月20日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 1020〜1022cm-3の高濃度にドーピングしたシリコン結晶を得る。【解決手段】 シリコンに比較してイオン半径の大きい元素X及びイオン半径の小さい元素YをX:Y=(1+α)又はX:Y=(1+α):1(1≦α≦5)の原子割合でシリコン単結晶の成長雰囲気に添加し、シリコンを1020〜1022cm-3の高濃度にドーピングする。この方法は、引上げ成長法,エピタキシャル成長法又は選択拡散法で実施される。【効果】 同時ドーピングによりキャリア濃度を大幅に高めることができ、配線として使用可能な低抵抗率をもつ金属シリコンが得られる。

請求項（抜粋）：

シリコンに比較してイオン半径の大きい元素X及びイオン半径の小さい元素YをX:Y=1:(1+α)又はX:Y=(1+α):1の原子割合(ただし、1≦α≦5)でシリコン単結晶の成長雰囲気に添加し、シリコンを1020〜1022cm-3の高濃度にドーピングすることを特徴とする抵抗率が低いn型又はp型金属シリコンの製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/3205 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/28 301

FI (8件)：

H01L 21/88 P ,  C30B 29/06 B ,  C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 504 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/208 P ,  H01L 21/28 301 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭55-145341
  
• 特開平4-139821
  

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-145341
  
• 特開平4-139821
  
• 特開昭55-145341
  
• 特開平4-139821