特許
J-GLOBAL ID：200903019166606479
複相シリサイドの作製方法及び複相シリサイド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314174
公開番号（公開出願番号）：特開2003-119523
出願日： 2001年10月11日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：
【要約】【課題】 高温において十分な組織安定性を有し、これによって十分な高温強度を有して実用に足る(C40/C11b)複相シリサイドの作製方法、並びにこの(C40/C11b)複相シリサイドを提供する。【解決手段】 光学式浮遊帯域溶融法により(Mo0.85Nb0.15)Si2なる組成の多結晶状のバルク体1から、2.5mm/時間以下の結晶化速度で、平衡状態図におけるC40の固相線上における液相濃度(CLE)と固相濃度(CB)との平衡状態が維持されるようにして凝固させ、C40単相の結晶3を得る。次いで、この結晶3に対して非酸化性雰囲気で加熱処理を施すことにより、C40相からC11b相を晶出させ、C40相とC11b相とからなる(C40/C11b)複相シリサイドを得る。
請求項（抜粋）：
C40相及びC11b相を含む(C40/C11b)複相シリサイドの作製方法であって、前記C40シリサイドの構成元素と、前記C11bシリサイドの構成元素とを含む多結晶状のバルク体を溶解して溶融体を生成させた後、平衡状態図の、C40相の液相線上における液相濃度と固相線上における固相濃度との平衡状態が維持されるようにして前記溶融体を冷却及び凝固させて、C40型の結晶構造を有する単相シリサイドを作製し、この単相シリサイドを加熱することによって前記単相シリサイド中にC11b型のシリサイドを晶出させて、前記(C40/C11b)複相シリサイドを形成することを特徴とする、(C40/C11b)複相シリサイドの作製方法。
IPC (4件)：
C22B 9/02
, C22B 9/18
, C22B 61/00
, C22C 28/00
C22B 9/02
, C22B 61/00
, C22C 28/00 Z
, C22B 9/18 Z
4K001AA23
, 4K001BA23
, 4K001EA05
, 4K001FA14
, 4K001GA19
