特許
J-GLOBAL ID：200903019192245182
半導体装置及びその半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-084239
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258617
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】選択的に形成されるエミッタ領域の一部がエミッタ電極と接する場合において、アバランシェ耐量を高めることが可能な半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】NチャネルのT-IGBTの単位素子が半導体基板上に多数並列に形成される半導体装置1において、梯子型に形成されるエミッタn+領域2の桁部分2-2とベースp-領域58との間に、ベースp-領域58よりも不純物濃度が高いp+領域3を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体層と、
前記半導体層上に形成される第2の導電型のベース半導体層と、
前記ベース半導体層の表面部分に選択的に形成される前記第1の導電型と同じ導電型のエミッタ領域またはソース領域と、
前記エミッタ領域またはソース領域の表面から前記半導体層まで形成されるトレンチと、
前記トレンチの内側を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜で内側が覆われた前記トレンチ内に形成されるゲート電極と、
を備え、
前記エミッタ領域またはソース領域は、前記トレンチの長手方向に直交する方向に前記トレンチの側壁から隣のトレンチの側壁まで連続に形成される桁部分と、前記トレンチの側壁に沿って形成され前記桁部分を除いた部分である桟部分とにより構成され、
前記桁部分と前記ベース半導体層との間に、前記第2の導電型と同じ導電型で、かつ、前記ベース半導体層よりも不純物濃度が高い高濃度領域を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 652D
, H01L29/78 655B
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655G
