特許
J-GLOBAL ID:200903019193134929

導電体の印刷方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邉 勇 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-324062
公開番号(公開出願番号):特開2001-144128
出願日: 1999年11月15日
公開日(公表日): 2001年05月25日
要約:
【要約】【課題】 より微細で、空洞や気泡等の欠陥のない健全な導電体からなるパターンを比較的低い温度履歴で形成できるようにした導電体の印刷方法を提供する。【解決手段】 基板10の表面にレジスト12をパターン状に設ける工程と、金属超微粒子を所定の溶媒に分散した超微粒子溶液20を基板10及びレジスト12の全表面に接触後、乾燥し焼成して基板10及びレジスト12の全表面を金属皮膜22で被覆する工程と、レジスト12で区画形成した凹み14内に導電体24をめっきにより埋込む工程と、不要な導電体24及びレジスト12を除去して凹み14内に埋込んだ導電体24からなるパターンを得る工程とを有する。
請求項(抜粋):
基板の表面にレジストをパターン状に設ける工程と、金属超微粒子を所定の溶媒に分散した超微粒子溶液を前記基板及びレジストの全表面に接触後、乾燥し焼成して基板及びレジストの全表面を金属皮膜で被覆する工程と、前記レジストで区画形成した凹み内に導電体をめっきにより埋込む工程と、不要な導電体及び前記レジストを除去して前記凹み内に埋込んだ導電体からなるパターンを得る工程とを有することを特徴とする導電体の印刷方法。
IPC (2件):
H01L 21/60 ,  H01L 21/027
FI (3件):
H01L 21/92 604 S ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/92 604 B
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-265773   出願人:松下電子工業株式会社
  • 特公昭63-031522
  • 特公昭63-031522

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