特許
J-GLOBAL ID：200903086007841210

半導体装置の製造方法

発明者：
松本 健

松本 健 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-265773
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112463
出願日： 1996年10月07日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハ上に高さの均一なバンプを形成する。【解決手段】 半導体ウェハ1上に、例えばスピン塗布方法によりレジスト2を塗布した後、バンプ形成領域のレジスト2を除去して開口する。メッキ方法により、レジスト2を開口したバンプ形成領域にバンプ3を、所望とする高さより20〜50パーセント程度高めに形成する。バンプ3が所望の高さとなるように、バンプ3とレジスト2の表面を平坦化した後、レジスト2を除去する。このように、レジスト2の開口内に所望の高さよりも高いバンプ3を形成した後、レジスト2およびバンプ3の表面を平坦化してバンプ3を所望の高さとすることにより、高さが均一なバンプ3を形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上に複数のバンプ形成領域を開口したレジストを形成する工程と、前記レジストの開口内に所望の高さよりも高いバンプを形成する工程と、前記レジストおよび前記バンプの表面を平坦化して前記バンプを所望の高さにする平坦化工程と、この平坦化工程の後で前記レジストを除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/321 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/461
FI (3件)：
H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/461
引用特許：
審査官引用 (5件)
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