特許
J-GLOBAL ID：200903019218424056

メッキによる電極形成方法、積層体及びこの積層体を用いた装置

発明者：
大西 和夫

大西 和夫 について

, 
瀬和 信吾

瀬和 信吾 について


出願人/特許権者：
イーメックス株式会社

イーメックス株式会社 について


代理人 (1件)： 宮崎 伊章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-208677
公開番号（公開出願番号）：特開2004-197215
出願日： 2003年08月25日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】固体電解質に形成される電極層の形成方法について、大きな電極表面積を有する電極層を得ることが可能な方法で、しかも、電極層の形成に要する工程数を短縮でき、人手も削減する電極層の形成方法を提供する。【解決手段】固体電解質成形品を挟んで金属塩溶液と還元剤溶液とが配され、前記金属塩溶液を前記固体電解質成形品に浸透させることにより、前記固体電解質成形品の還元剤溶液側の界面付近に金属を析出させて固体電解質成形品に電極を形成する電極形成方法を用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
固体電解質成形品を挟んで金属塩溶液と還元剤溶液とが配され、前記金属塩溶液を前記固体電解質成形品に浸透させることにより、前記固体電解質成形品の還元剤溶液側の界面付近に金属を析出させて固体電解質成形品に電極を形成する電極形成方法。
IPC (2件)：
C23C18/16 ,  C23C18/31
FI (2件)：
C23C18/16 A ,  C23C18/31 A
Fターム (12件)：
4K022AA13 ,  4K022AA19 ,  4K022AA21 ,  4K022AA33 ,  4K022AA41 ,  4K022BA03 ,  4K022BA31 ,  4K022DA01 ,  4K022DA07 ,  4K022DB08 ,  4K022DB15 ,  4K022DB18
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (14件)
  • 特公昭56-036873
  • 特開昭62-199775
  • 特許第2961125号
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