特許
J-GLOBAL ID:200903019244662437

薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 北野 好人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-134400
公開番号(公開出願番号):特開平8-328033
出願日: 1995年05月31日
公開日(公表日): 1996年12月13日
要約:
【要約】【目的】 製造工程中において、静電チャージ等の電気的ストレスが加わっても、短絡欠陥が発生することなく、特性変動が少なく、高歩留まりで製造することができる薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法を提供する。【構成】 透明絶縁基板10上に、薄膜トランジスタのゲートを共通接続するゲートバスライン14と、薄膜トランジスタのドレインを共通接続するドレインバスライン16が延在し、透明絶縁基板10の縁部にゲートバスライン14の端部に相対して外部端子20が形成され、ドレインバスライン16の端部に相対して外部端子30が形成されている。外部端子20、30より内側の領域に、ゲートバスライン14を共通接続するゲート用接続配線24と、ドレインバスライン16を共通接続するドレイン用接続配線34が形成されている。
請求項(抜粋):
透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上にマトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタと、前記透明絶縁基板上にマトリクス状に配置され、前記薄膜トランジスタのソースに接続された複数の画素電極と、前記薄膜トランジスタのゲート又はドレインを共通接続する複数のバスラインと、前記透明絶縁基板の縁部であって、前記バスラインの端部に相対して形成された外部端子と、前記外部端子より内側の領域に形成され、前記複数のバスラインを共通接続するための接続配線とを有することを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス装置。
引用特許:
審査官引用 (7件)
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