半導体バルク結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-119334
公開番号（公開出願番号）：特開2005-298291
出願日： 2004年04月14日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】異種基板から成る下地基板を用いて転位密度が低くかつ反りの小さい半導体バルク結晶を得る製造工程において、その生産性を従来よりも向上させること。【解決手段】結晶成長温度900°Cにし、下記の結晶成長条件でGaN層A,Bをハイドライド気相成長させ(第1及び第2の結晶成長工程)、その後不要部を除去した。(A-1)GaN層Aの結晶成長速度:100μm/h(A-2)GaN層Aの結晶成長時間:1時間(B-1)GaN層Bの結晶成長速度:130μm/h(B-2)GaN層Bの結晶成長時間:3時間5分これらの結晶成長条件に従えば、転位密度が低くかつ反りの小さい半導体バルク結晶(即ち、自立したGaN層B)を、従来よりも短い時間で得ることができる。【選択図】図1-B

請求項（抜粋）：

異種基板から成る下地基板の結晶成長面上に III族窒化物系化合物半導体を結晶成長させ、この結晶成長させた半導体層から前記下地基板を除去することにより、自立した半導体バルク結晶を得る方法であって、第2の半導体層Bよりも先に結晶成長させる第1の半導体層Aの結晶成長中における結晶成長面の転位密度ρA が所定の基準値ρ0 に至るまで、前記転位密度ρA を略単調に減少させつつ前記第1の半導体層Aを結晶成長させる第1の結晶成長工程と、前記転位密度ρA が所定の基準値ρ0 に至った前記第1の半導体層Aが供する結晶成長面上に、前記第2の半導体層Bの結晶成長中における結晶成長面の転位密度ρB を略維持しつつ前記第2の半導体層Bを結晶成長させる第2の結晶成長工程と、結晶成長させた前記半導体層から前記下地基板を全て除去し、更にこの除去処理によって露出した露出面側から少なくとも前記第1の半導体層Aの一部分を除去する下地除去工程とを有し、前記第2の結晶成長工程における前記第2の半導体層Bの厚さ方向の結晶成長速度V2 は、前記第1の結晶成長工程における前記第1の半導体層Aの厚さ方向の結晶成長速度V1 よりも大きいことを特徴とする半導体バルク結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/16 , H01L21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D , C23C16/34 , C30B25/16 , H01L21/205

Fターム (43件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077EA02 , 4G077ED04 , 4G077EF03 , 4G077EH01 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TA08 , 4G077TB02 , 4G077TC06 , 4G077TC10 , 4G077TC13 , 4G077TC16 , 4G077TJ02 , 4G077TJ06 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030LA14 , 5F045AA02 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AF03

引用特許：

出願人引用 (1件)

III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-084963 出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社

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