特許
J-GLOBAL ID:200903055113244474

III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 速水 進治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-084963
公開番号(公開出願番号):特開2003-277195
出願日: 2002年03月26日
公開日(公表日): 2003年10月02日
要約:
【要約】【課題】反りの小さい自立したIII-V族窒化物系半導体基板を提供する。【解決手段】サファイア基板31上に、GaN低温バッファ層32を介してGaN層33をエピタキシャル成長させる。次いでこの基板を反応管から取り出し、サファイア基板31、GaN低温バッファ層32およびGaN層33の一部を除去することにより自立GaN基板35を得る(図3(b))。その後、この自立GaN基板35を電気炉に入れ、NH3雰囲気で1200°Cで24時間熱処理を行う。以上のようにして、表面転位密度4×107cm-2、裏面転位密度8×105cm-2、転位密度比50の自立GaN基板が得られる。この自立GaN基板35の反りは大幅に低減されていた。
請求項(抜粋):
自立したIII-V族窒化物系半導体基板であって、転位密度の低い側の面の転位密度をn1、転位密度の高い側の面の転位密度をn2としたとき、n2/n1の値が750未満であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。
IPC (4件):
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (4件):
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (36件):
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67 ,  5F073CA01 ,  5F073CB05 ,  5F073DA04 ,  5F073EA28
引用特許:
審査官引用 (1件)
引用文献:
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