III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084963
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277195
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】反りの小さい自立したIII-V族窒化物系半導体基板を提供する。【解決手段】サファイア基板31上に、GaN低温バッファ層32を介してGaN層33をエピタキシャル成長させる。次いでこの基板を反応管から取り出し、サファイア基板31、GaN低温バッファ層32およびGaN層33の一部を除去することにより自立GaN基板35を得る(図3(b))。その後、この自立GaN基板35を電気炉に入れ、NH3雰囲気で1200°Cで24時間熱処理を行う。以上のようにして、表面転位密度4×107cm-2、裏面転位密度8×105cm-2、転位密度比50の自立GaN基板が得られる。この自立GaN基板35の反りは大幅に低減されていた。

請求項（抜粋）：

自立したIII-V族窒化物系半導体基板であって、転位密度の低い側の面の転位密度をn1、転位密度の高い側の面の転位密度をn2としたとき、n2/n1の値が750未満であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (36件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077FE02 , 4G077FE11 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB04 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 5F041AA40 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA73 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF20 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045DA67 , 5F073CA01 , 5F073CB05 , 5F073DA04 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-000072 出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (5件)

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