特許
J-GLOBAL ID：200903019261363141
炭化珪素半導体装置とその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小林 茂
, 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-168798
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010096
出願日： 2007年06月27日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：
【課題】炭素系副産物および珪化したコンタクト母材膜を除去する工程の終了を時間で管理する必要がなく、炭素系副産物および珪化したコンタクト母材膜を適切に除去し、導体膜の剥離をより防止できる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供することにある。【解決手段】 本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、SiC基板表面1A上にコンタクト母材膜2を形成する工程と、コンタクト母材膜2とn型4H-SiC基板1を反応させて、コンタクト母材膜2のNi元素がn型4H-SiC基板1に拡散したNi拡散層3と、n型4H-SiC基板1のSi元素により珪化したNiシリサイド層5と、グラファイト粒4および表面グラファイト層6を生成する工程と、グラファイト粒4の一部、表面グラファイト層6およびNiシリサイド層5(図示しないグラファイト粒も含む。)を、SiC基板表面1Aまで、除去する工程を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板の表面上にコンタクト母材膜を形成する工程と、
前記コンタクト母材膜と前記炭化珪素基板を反応させて、前記コンタクト母材膜の材料が前記炭化珪素基板に拡散した拡散層と、前記炭化珪素基板の珪素により珪化したコンタクト母材膜と、炭素系副産物を生成する工程と、
前記炭素系副産物および前記珪化したコンタクト母材膜を、前記炭化珪素基板の前記表面まで、除去する工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/28 301B
, H01L21/28 301S
4M104AA03
, 4M104BB21
, 4M104CC01
, 4M104DD68
, 4M104DD75
, 4M104DD80
, 4M104DD84
, 4M104FF13
, 4M104HH08
