特許
J-GLOBAL ID:200903019264743433

炭化珪素焼結体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 孝一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-250572
公開番号(公開出願番号):特開平11-092225
出願日: 1997年09月16日
公開日(公表日): 1999年04月06日
要約:
【要約】【課題】 焼結助剤を使用しないで、高密度化を図りつつ、高温における機械的特性(強度)、耐食性などに優れているとともに、高純度で高温構造物用材料から半導体分野の機能材料までの広い範囲に亘って有効に応用することができるようにする。【解決手段】 α型SiC結晶粒1にβ型SiC粉3を混合した後、予備成形を行ない、その予備成形体を、不活性ガス雰囲気もしくは水素分圧比1%以下の大気圧下の常圧焼結法、または、ホットプレスを用いた加圧焼結法により2150〜2300°Cの温度範囲で焼結することで、β型SiC粉3をα型SiCに相変態させて高密度で、かつ、高純度なSiC焼結体を製造する。
請求項(抜粋):
α型炭化珪素結晶粒にβ型炭化珪素粉を混合した予備成形体を焼結してなることを特徴とする炭化珪素焼結体。
引用特許:
審査官引用 (3件)

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