特許
J-GLOBAL ID:200903019284303162

有機EL素子及び有機EL素子の耐久性向上方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  阿部 豊隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-181565
公開番号(公開出願番号):特開2005-019159
出願日: 2003年06月25日
公開日(公表日): 2005年01月20日
要約:
【課題】素子の劣化及びそれによる輝度の低下を充分に抑制することができ、素子の長寿命化を図ることが可能な有機EL素子を提供すること。【解決手段】互いに対向して配置されている第1の電極1及び第2の電極2の間に、電子を供給して配位結合を生じ得る配位結合性化合物6と、配位結合性化合物6及び/又は配位結合性化合物6中の配位結合性骨格が配位子として中心金属又は中心金属イオンに配位した金属錯体8と、を含む有機層である錯体含有層10を備える有機EL素子100。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
互いに対向して配置されている2つの電極間に、1又は2以上の有機層を備える有機EL素子において、 前記有機層の少なくとも1つは、 電子を供給して配位結合を生じ得る配位結合性化合物と、 前記配位結合性化合物及び/又は前記配位結合性化合物中の配位結合性骨格が配位子として中心金属又は中心金属イオンに配位した金属錯体と、を含む錯体含有層であることを特徴とする有機EL素子。
IPC (2件):
H05B33/14 ,  C09K11/06
FI (3件):
H05B33/14 B ,  C09K11/06 660 ,  C09K11/06 690
Fターム (2件):
3K007AB11 ,  3K007DB03
引用特許:
審査官引用 (1件)

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