特許

J-GLOBAL ID：200903019297840167

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 日野 清和
出願人/特許権者： ハリソン東芝ライティング株式会社
代理人 (2件)： 日向寺 雅彦 ,  市川 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-288898
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108835
出願日： 2006年10月24日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】発光効率や色度の安定性が改善された半導体発光装置を提供する。【解決手段】第1の波長をピークとする第1の光を放出する第1の発光素子と、前記第1の波長とは異なる第2の波長をピークとする第2の光を放出する第2の発光素子と、前記第2の波長をピークとする光を吸収し、前記第1の波長とも前記第2の波長とも異なる第3の波長の光をピークとする第3の光を放出する蛍光体と、前記第1の発光素子と前記蛍光体との間に設けられ、前記第1の光を遮蔽する光遮蔽壁と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の波長をピークとする第1の光を放出する第1の発光素子と、 前記第1の波長とは異なる第2の波長をピークとする第2の光を放出する第2の発光素子と、 前記第2の波長をピークとする光を吸収し、前記第1の波長とも前記第2の波長とも異なる第3の波長の光をピークとする第3の光を放出する蛍光体と、 前記第1の発光素子と前記蛍光体との間に設けられ、前記第1の光を遮蔽する光遮蔽壁と、 を備えたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (22件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041AA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CB36 ,  5F041DA14 ,  5F041DA16 ,  5F041DA55 ,  5F041DA75 ,  5F041DA76 ,  5F041DA78 ,  5F041DA81 ,  5F041DA82 ,  5F041DB07 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11 ,  5F041FF16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-218149   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光ダイオード、照明装置、液晶表示装置および発光ダイオードの駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-136534   出願人：シャープ株式会社