特許

J-GLOBAL ID：200903019314802762

フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子

発明者： 鄭 載昌 ,  李 根守 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-200816
公開番号（公開出願番号）：特開2002-082440
出願日： 2001年07月02日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジスト上部に酸が多く発生し、傾斜したパターンが形成される問題点を解決できるフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】既存の(a)フォトレジスト樹脂と、(b)光酸発生剤と、(c)有機溶媒で構成される従来のフォトレジスト組成物に(d)PRGをさらに含ませることにより露光時感光剤の表面上にラジカルが発生し、究極的には酸を減少させることにより、傾斜したパターンが形成される問題点を解決する。

請求項（抜粋）：

(a)フォトレジスト樹脂と、(b)光酸発生剤と、(c)光ラジカル発生剤(photo radical generator)と、(d)有機溶媒を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 ,  C07C 49/82 ,  C07C 49/84 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 ,  C07C 49/82 ,  C07C 49/84 A ,  G03F 7/004 503 Z ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (16件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CA02 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-349463
  
• 特開平4-245248
  
• 化学増幅型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-095680   出願人：クラリアントジャパン株式会社