特許
J-GLOBAL ID：200903031635552830

化学増幅型レジスト組成物

発明者：
木下 義章

木下 義章 について

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山口 優子

山口 優子 について

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船戸 覚

船戸 覚 について


出願人/特許権者：
クラリアント ジャパン 株式会社

クラリアント ジャパン 株式会社 について


代理人 (1件)： 鐘尾 宏紀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095680
公開番号（公開出願番号）：特開平11-295887
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【目的】高感度で、高解像性を示し、プロセス適応性、プロセス安定性に優れ、パターン形状の良い、集積回路素子等の製造での微細加工材料として適した化学増幅型レジスト組成物を堤供する。【構成】酸により遊離しうる置換基を含有する有機物と放射線の照射により酸を発生する化合物(酸発生剤)を含有し、放射線の照射により発生した酸の触媒作用により、放射線照射部のアルカリ現像液に対する溶解生を変化させてパターンを形成する化学増幅型レジスト組成物において、酸発生剤として、オニウム塩の少なくとも1種とスルホン化合物およびスルホネート化合物の少なくとも1種とを併用する。また、レジスト組成物中に塩基性化合物を含有せしめることが好ましい。
請求項（抜粋）：
酸により遊離しうる置換基を含有する有機物および放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、放射線の照射により発生した酸の触媒作用により、放射線照射部分のアルカリ現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成する化学増幅型レジスト組成物において、放射線の照射により酸を発生する化合物が、オニウム塩化合物の少なくとも1種とスルホン化合物およびスルホネート化合物から選ばれた少なくとも1種とからなることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
審査官引用 (9件)
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