特許
J-GLOBAL ID：200903019316162264
GaN系半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-185282
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016588
出願日： 2006年07月05日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】リーク電流が低いGaN系半導体素子を提供する。【解決手段】横型のパワーHFET21において、AlxInyGa1-x-yN(0<x<1、0<y<1、x+y<1)からなるAlInGaN層1と、アンドープのGaNからなるGaN層2と、アンドープ又はn型のAlzGa1-zN(0<z<1)からなるAlGaN層3とがこの順に積層されており、AlGaN層3上には、ソース電極4、ドレイン電極5及びゲート電極6が設けられている。AlInGaN層1においては、0.4x≦y≦0.53xとなっている。そして、AlInGaN層1のバンドギャップは、GaN層2のバンドギャップよりも大きい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Alの組成比をx(0<x<1)とし、Inの組成比をy(0<y<1、x+y<1)としたときに、AlxInyGa1-x-yNからなる第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成され、アンドープGaNからなる第2の半導体層と、
Alの組成比をz(0<z<1)としたときに、前記第2の半導体層上に形成され、アンドープ又はn型のAlzGa1-zNからなる第3の半導体層と、
前記第3の半導体層上に形成された制御電極と、
前記第3の半導体層に接続された第1の主電極と、
前記第3の半導体層に接続された第2の主電極と、
を備え、
前記第1の半導体層のバンドギャップは、前記第2の半導体層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とするGaN系半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ03
, 5F102GQ09
, 5F102GR07
, 5F102GR13
