特許

J-GLOBAL ID：200903019321945587

層間絶縁膜の形成方法および絶縁膜形成装置

発明者： 五味 秀樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317499
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150357
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 パリレン膜による層間絶縁膜を成膜する際のハガレや密着性不良を防止し、信頼度の高い半導体装置を製造する。【解決手段】 パリレン膜を半導体基板上に成膜後、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中において、膜中未反応ガスを放出させるエ程を行う。特に膜中未反応ガス放出工程を300°C以上の温度を用いて行うことにより優れた効果が得られる。また、この膜中未反応ガス放出工程を、成膜後、大気開放なしに行うことにより、膜中に大気中の水分を取り込み不安定な膜に変化することなく、未反応ガスを取り除くことができる。

請求項（抜粋）：

配線層の層間絶縁膜の少なくとも一部としてパリレン膜を半導体装置に形成する方法において、前記パリレン膜を半導体基板上に成膜後、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中において、膜中未反応ガスを放出させる工程を有することを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H05K 3/28 ,  C08G 61/02 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H05K 3/46

FI (7件)：

H05K 3/28 C ,  C08G 61/02 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/312 A ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 B ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低比誘電率高分子膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法並びに低比誘電率高分子膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-165308   出願人：日本真空技術株式会社