特許
J-GLOBAL ID：200903010077292790
低比誘電率高分子膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法並びに低比誘電率高分子膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165308
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326388
出願日： 1996年06月05日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】耐熱性が高く、かつ、安定した特性を有する低比誘電率の高分子膜を簡易な工程で得る。【解決手段】真空中で原料モノマーを蒸発させ、基体上で蒸着重合させてポリ尿素膜又はポリイミド膜を形成する際に、メチル基、メトキシ基又はt-ブチル基等の立体障害の大きな置換基を側鎖に有する原料モノマーを用いる。蒸着重合膜形成室1で蒸着膜を形成した後、紫外線照射室2で紫外線を照射して架橋反応を行うか又は紫外線を照射しないで、加熱室3で加熱して高分子量化を行う。本発明によれば、耐熱性が高く経時変化の生じない低比誘電率の層間絶縁膜が得られる。
請求項（抜粋）：
真空中で原料モノマーを蒸発させ、基体上で蒸着重合させて高分子膜を形成する際に、上記原料モノマーとして、炭素数1〜4の低級アルキル基若しくはアルコキシ基又はフェニル基からなる立体障害の大きな置換基をその側鎖に有するものを用いることを特徴とする低比誘電率高分子膜の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/312
, C08G 18/08 NGX
, C08G 18/32 NDT
, H01L 21/768
, H01L 21/31
, C23C 16/30
H01L 21/312 A
, C08G 18/08 NGX
, C08G 18/32 NDT
, C23C 16/30
, H01L 21/90 K
, H01L 21/95
