特許
J-GLOBAL ID：200903019326633826

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたn型窒化ガリウム単結晶基板

発明者：
元木 健作

元木 健作 について

, 
上野 昌紀

上野 昌紀 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-103723
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373864
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 酸素をn型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。【解決手段】 C面以外の面を表面(上面)にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらC面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。または、C面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらC面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をc軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。
請求項（抜粋）：
Si化合物を含まずガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しつつ、C面以外の一定方位の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより、当該C面以外の面を通して結晶中に酸素ドーピングを行うことを特徴とする窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
Fターム (17件)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
  • 窒化物系半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-212131   出願人：三洋電機株式会社

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