特許

J-GLOBAL ID：200903075762071083

窒化物系半導体素子

発明者： 林 伸彦 ,  畑 雅幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212131
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026464
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 結晶性の良好な窒化物系半導体層を有する窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板1と、前記サファイア基板1上に位置するとともに酸素が含有された窒化物からなる酸素含有層4と、前記酸素含有層4上に位置する窒化物系半導体からなる第3バッファ層5とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に位置するとともに酸素が含有された窒化物からなる酸素含有層と、前記酸素含有層上に位置する窒化物系半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (45件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045DB06 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221816   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-354318   出願人：パイオニア株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-027522   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-039646   出願人：株式会社東芝