特許

J-GLOBAL ID：200903019329684413

メモリーセルの情報内容を評価するための方法と回路配列

発明者： ヴェーバー,ヴェルナー ,  テベス,ローランド
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 原 謙三 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-527285
公開番号（公開出願番号）：特表2003-510752
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】メモリーセル(10)、好ましくはMRAMメモリーセル、またはメモリーセルアレイの情報内容を評価するための方法および回路配列(20)を記述している。メモリーセル(10)を正確で確実に評価できるために、初めに、メモリーセル(10)を流れぬける第1電流値またはこれに連動する電圧値が測定され、スイッチ(24)およびコンデンサー(25)を備える第1回路支線(23)を通って一時的に保存される。続いて、このメモリーセル(10)は、プログラミング処理を行う。その後、このメモリーセル(10)で第2電流値または電圧値が測定され、スイッチ(27)およびコンデンサー(28)を備える第2電圧支線(26)を通って、そこで一時的に保存される。この2つの測定値は、評価器(21)で互いに比較される。

請求項（抜粋）：

メモリーセル、好ましくはMRAMメモリーセルまたはメモリーセルアレイの情報内容を、上記メモリーセルを通って流れる電流もしくは上記電流と相関関係にある電圧を測定することによって評価するための方法であり、上記メモリーセルの情報内容を評価するために、上記の測定された電流または電圧を、同じメモリーセルを経由する参考電流もしくは上記参考電流と相関関係にある参考電圧と比較する方法。

IPC (5件)：

G11C 29/00 675 ,  G11C 29/00 653 ,  G01R 31/28 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15

FI (6件)：

G11C 29/00 675 B ,  G11C 29/00 653 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  G01R 31/28 B

Fターム (15件)：

2G132AA00 ,  2G132AA08 ,  2G132AB01 ,  2G132AC02 ,  2G132AD01 ,  2G132AE11 ,  2G132AE14 ,  2G132AE23 ,  2G132AH01 ,  2G132AL11 ,  5L106AA09 ,  5L106DD03 ,  5L106DD22 ,  5L106GG05 ,  5L106GG07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 磁気ビツト構造の磁気状態を検出する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-097900   出願人：ハネウエル・インコーポレーテツド
• 特開平4-283489
  
• 特開平4-285788