特許
J-GLOBAL ID:200903019332210678

スパッタリング装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-359458
公開番号(公開出願番号):特開平11-189873
出願日: 1997年12月26日
公開日(公表日): 1999年07月13日
要約:
【要約】【課題】 半導体プロセスや電子部品材料等の製造工程に使用されるスパッタリング装置において、小型マグネトロンスパッタリング電極で、大型基板に形成される薄膜の膜厚および膜質の均一性を向上させるスパッタリング装置及び方法を提供する。【解決手段】 平板ターゲット1を用いてスパッタリングを行い、基板18に薄膜を形成するスパッタリング装置において、スパッタリング電極32のターゲット裏面に設置した磁気回路5を、対向した位置にある基板面に平行に移動させるための移動装置33を有するスパッタリング電極32と、スパッタリング電極32に対向した位置で基板18を保持するとともに、基板18の中心を軸に基板18を自転させるための回転装置35を有する基板ホルダー17を備えて、大型基板に形成される薄膜の膜厚および膜質の均一性を向上させる。
請求項(抜粋):
平板のターゲット(1)を用いてスパッタリングを行い、基板(18)に薄膜を形成するスパッタリング装置において、スパッタリング電極(32,42)自体、又は、該のスパッタリング電極のターゲット裏面に設置した磁気回路(5)を、これに対向した位置にある上記基板の面に大略平行にかつ上記ターゲットの所定方向沿いに移動させる移動装置(433,533)を有するスパッタリング電極と、上記スパッタリング電極に対向した位置で上記基板を保持するとともに、上記基板の中心を軸に上記基板を自転させるための回転装置(35)とを有する基板ホルダー(17)とを備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件):
C23C 14/35 ,  C23C 14/50 ,  C23C 14/54
FI (3件):
C23C 14/35 B ,  C23C 14/50 G ,  C23C 14/54 C
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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