特許
J-GLOBAL ID：200903096181945640
薄膜成膜方法、半導体装置の製造方法及び薄膜成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040440
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213634
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】基体よりも小さな薄膜原料源を使用することを可能とし、複雑な構造を有する薄膜成膜装置を使用することなく、従来の薄膜成膜装置よりも小さなチャンバー容積でよく、場合によっては、基体の大きさよりも狭い空間領域で均一な磁場を保持しながらプラズマを発生させるだけでよく、特殊な形状の薄膜原料源が不要である薄膜成膜方法を提供する。【解決手段】薄膜成膜方法は、物理的気相成長法にて生成させられた薄膜原料粒子を基体20に照射して、基体20に薄膜を成膜する薄膜成膜方法であって、薄膜原料粒子を基体20の一部の領域に照射しつつ、薄膜原料粒子の流れの空間位置と基体20とを相対的に移動させる。
請求項（抜粋）：
物理的気相成長法にて生成させられた薄膜原料粒子を基体に照射して、基体に薄膜を成膜する薄膜成膜方法であって、薄膜原料粒子を基体の一部の領域に照射しつつ、薄膜原料粒子の流れの空間位置と基体とを相対的に移動させることを特徴とする薄膜成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C23C 14/50
, C30B 29/38
H01L 21/203 Z
, C23C 14/50 G
, C30B 29/38 Z
