特許

J-GLOBAL ID：200903019372076028

位相制御機能を有する光半導体装置

発明者： 竹内 剛 ,  山崎 裕幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-088601
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266260
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】発振特性が安定で、製造歩留まりの向上が可能で、低コスト化の可能な波長可変光源を実現可能となす、位相制御機能を有する光半導体装置を提供する。【解決手段】光半導体素子とそれが搭載される実装基板部とを含んでなる光半導体装置において、光半導体素子は素子基板14の下側の面に活性層17が形成されており、実装基板部は実装基板23の上側の面にヒーター電極8を備えている。光半導体素子は、素子基板14の活性層17が形成されている側の下面が実装基板23のヒーター電極8が設けられている側の上面に対向しており、ヒーター電極8の発熱により活性層17が加熱されるように配置されている。10は実装基板側p電極であり、19は光半導体素子側p電極であり、これらは融着材20により接合されている。9はスペーサである。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

光半導体素子と該光半導体素子が搭載される実装基板部とを含んでなる光半導体装置であって、 前記光半導体素子は、素子基板の一方側の面に活性層が形成されており、 前記実装基板部は、実装基板の一方側の面に発熱・吸熱機能部を備えており、 前記光半導体素子は、前記素子基板の前記活性層が形成されている側の面が前記実装基板の前記発熱・吸熱機能部が設けられている側の面に対向し、前記発熱・吸熱機能部の発熱・吸熱により前記活性層が加熱・冷却されるように配置されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 5/022 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42

FI (3件)：

H01S5/022 ,  G02B6/12 B ,  G02B6/42

Fターム (65件)：

2H137AB11 ,  2H137AB12 ,  2H137AC01 ,  2H137BA41 ,  2H137BA45 ,  2H137BA52 ,  2H137BB02 ,  2H137BB26 ,  2H137BB31 ,  2H137BB33 ,  2H137BC51 ,  2H137CA12F ,  2H137CA34 ,  2H137CB06 ,  2H137CB24 ,  2H137CB25 ,  2H137CB32 ,  2H137CC01 ,  2H137CC03 ,  2H137CC10 ,  2H137EA04 ,  2H137EA05 ,  2H137EA07 ,  2H137GA02 ,  2H147AB03 ,  2H147AB11 ,  2H147AB16 ,  2H147AC04 ,  2H147AC05 ,  2H147BD03 ,  2H147BE26 ,  2H147BG06 ,  2H147CA13 ,  2H147CB03 ,  2H147CC02 ,  2H147CC10 ,  2H147CC12 ,  2H147CC13 ,  2H147CC18 ,  2H147CD09 ,  2H147CD10 ,  2H147CD15 ,  2H147DA08 ,  2H147DA18 ,  2H147EA12D ,  2H147EA13C ,  2H147EA13D ,  2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  2H147EA14D ,  2H147FA03 ,  2H147FA25 ,  2H147FC03 ,  2H147FD18 ,  2H147GA10 ,  5F173MA03 ,  5F173MD03 ,  5F173MD13 ,  5F173MD37 ,  5F173MD63 ,  5F173ME58 ,  5F173MF02 ,  5F173MF26 ,  5F173MF27 ,  5F173MF29

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 波長可変半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-204693   出願人：日本電気株式会社
• 共振器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-512250   出願人：アルファ・イーエックスエックス・エイビイ