特許
J-GLOBAL ID：200903019412185992

オンチップ・コイルとその製造方法

発明者：
藤田 研

藤田 研 について

, 
法元 寛

法元 寛 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091130
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284533
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 占有面積が小さく、かつ大きなインダクタンスを有するオンチップ・コイルとその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1表面に形成された絶縁膜2上に、コイル配線3aが形成され、その上に層間絶縁膜5を介してコイル配線3bが形成される。コイル配線3a,3b間は、層間絶縁膜5に形成された複数の貫通穴に充填された強磁性体金属によるプラグ4で電気的に接続されている。また、コイル配線3の中央部には、磁気コア6が配置されている。プラグ4と磁気コア6は、層間絶縁膜5に同一工程で貫通穴を形成し、形成した貫通穴に、同じ強磁性体金属を同時に充填することによって形成される。これにより、製造工程を増やすことなく、小形でインダクタンスが大きく、かつ抵抗分の小さなオンチップ・コイルが得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1のコイル配線と、前記第1のコイル配線と同様の形状を有し、層間絶縁膜を介して前記第1のコイル配線に対向して形成された第2のコイル配線と、前記第1及び第2のコイル配線を電気的に並列接続するために、前記層間絶縁膜を貫通して形成された強磁性体金属による複数のプラグと、前記プラグが形成された層と同一層で前記第1及び第2のコイル配線の中央部に当たる位置に、該プラグと同じ強磁性体金属で形成された磁気コアとを、備えたことを特徴とするオンチップ・コイル。
IPC (4件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 27/04 L ,  H01L 21/88 S ,  H01L 21/90 A
Fターム (34件)：
5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ16 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033NN19 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033VV08 ,  5F033XX08 ,  5F038AR16 ,  5F038AZ04 ,  5F038CD18 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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