特許

J-GLOBAL ID：200903019425255019

多結晶シリコンの形成方法及び形成装置

発明者： 石川 道夫 ,  伊東 一幸 ,  橋本 征典 ,  米▲崎▼ 武 ,  戸川 淳 ,  太田 賀文
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-309497
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149984
出願日： 1996年11月20日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】能率良く多結晶シリコンを形成する方法を提供すること、電界効果移動度の大きな多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造に適した多結晶シリコンを形成する方法を提供すること、及びこれらの方法を適切に実施できる装置を提供すること。【解決手段】基板2に形成したアモルファスシリコン膜に気密の室12内でレーザービームを照射し、レーザーアニールにより該膜を多結晶化する結晶化工程を有する多結晶シリコンの形成方法に於いて、該室内を0.1Torr以上乃至該室の耐圧限度以下の圧力で、且つ、水素、窒素、不活性ガスのうちの少なくとも1種類のガスを流通させた雰囲気とする。該室内で該圧力とガス雰囲気により形成した多結晶シリコンを大気に暴露することなくその結晶化後に引き続いて水素プラズマ処理を施す。

請求項（抜粋）：

基板に形成したアモルファスシリコン膜に気密の室内でレーザービームを照射し、レーザーアニールにより該膜を多結晶化する結晶化工程を有する多結晶シリコンの形成方法に於いて、該室内を0.1Torr以上乃至該室の耐圧限度以下の圧力で、且つ、水素、窒素、不活性ガスのうちの少なくとも1種類のガスを流通させた雰囲気とすることを特徴とする多結晶シリコンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜半導体素子の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-273051   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-031111
  
• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-181122   出願人：株式会社リコー