特許

J-GLOBAL ID：200903090628949837

薄膜半導体素子の製造方法および製造装置

発明者： 原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  鮫島 俊之 ,  香野 淳 ,  関谷 光信 ,  金谷 康弘 ,  矢野 三千久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273051
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099321
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 清浄で高品質な半導体/絶縁膜界面を形成し、あるいは電気伝導度の大きな変化を生じることなく半導体薄膜を水素化することにより、高性能かつ高信頼性の薄膜半導体素子を良好な均一性で製造する。【構成】 ウェハー上に形成されたa-Si:H薄膜をレーザアニール室C3内でレーザ光の照射により溶融再結晶化して多結晶Si薄膜を形成した後、大気にさらすことなくウェハーをCVD室C1 内に搬送し、このCVD室C1 内で多結晶Si薄膜の清浄な表面上にゲート絶縁膜を形成する。また、a-Si:H薄膜をレーザアニール室C3 内で溶融再結晶化して多結晶Si薄膜を形成した後、大気にさらすことなくウェハーを水素化室内に搬送し、この水素化室内で多結晶Si薄膜をプラズマ水素化する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体薄膜の少なくとも表面層を減圧下または不活性ガス雰囲気中で溶融再結晶化し、上記溶融再結晶化された上記半導体薄膜が形成された上記基板を減圧下または不活性ガス雰囲気中に保持したまま、上記溶融再結晶化された上記半導体薄膜上に絶縁膜を形成する工程に移るようにしたことを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-289140
  
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-059231   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開平4-007843
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196097   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭64-046968