表面波素子の製造方法及び表面波装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312372
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179453
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】部分的な周波数調整が可能であり、周波数を測定しながらの調整または周波数測定と調整が即座に切り替えて行うことのでき、周波数の調整範囲が広い表面波共振子の製造方法及び表面波装置の製造方法を提供する。【解決手段】水晶からなる圧電基板10a上にTaからなるIDT11aとを有する表面波素子13に対して、イオンガン16aからイオンビーム17を照射することにより、IDT11aおよび圧電基板10aにイオンを物理的に衝突させてIDT11a及び圧電基板10aをエッチングする。

請求項（抜粋）：

圧電体と前記圧電体上に形成され前記圧電体より密度の大きい金属からなるIDTとを有する表面波素子の製造方法において、前記IDTおよび前記圧電体にイオンを物理的に衝突させて前記IDTの膜厚及び前記圧電体を減少させて周波数を調整することを特徴とする表面波素子の製造方法。

IPC (2件)：

H03H 3/08 , H03H 9/145

FI (3件)：

H03H 3/08 , H03H 9/145 C , H03H 9/145 Z

Fターム (11件)：

5J097AA13 , 5J097AA31 , 5J097BB11 , 5J097CC03 , 5J097DD28 , 5J097FF01 , 5J097HA02 , 5J097HA05 , 5J097HA07 , 5J097HB02 , 5J097KK09

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平2-189011
特開平4-199906
特公昭61-041446

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審査官引用 (5件)

特開平2-189011
特開平4-199906
特公昭61-041446

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