特許

J-GLOBAL ID：200903019437827867

マスク及びその加工方法

発明者： 後藤 禎 ,  中村 剛
出願人/特許権者： 日本精工株式会社
代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000224
公開番号（公開出願番号）：特開2007-148310
出願日： 2006年01月04日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】露光時のマスクをフラットな形状で維持し、高精度な露光を実現することができるマスクの加工方法を提供する。【解決手段】露光装置に使用されるマスクMは、マスクステージ1に保持されたフラットマスクを介して照射手段からパターン露光用の光を照射して基板Wにフラットマスクの基準パターンを露光転写する工程と、フラットマスクの基準パターンに基づく基板Wの露光結果からフラットマスクの撓み量δを求める工程と、求められた撓み量δに応じてフラットマスクを略椀型形状に加工する工程と、を有する加工方法により加工される。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

被露光材としての基板を保持するワークステージと、前記基板に対向配置されてマスクを保持するマスクステージと、前記基板に対してパターン露光用の光を前記マスクを介して照射する照射手段と、前記マスクのマスクパターンが前記基板上の複数の所定位置に対向するように前記ワークステージと前記マスクステージとを相対的にステップ移動させる送り機構と、を備えた露光装置に用いられるマスクの加工方法であって、 前記マスクステージに保持された前記マスクを介して前記照射手段から前記パターン露光用の光を照射して前記基板に前記マスクの基準パターンを露光転写する工程と、 前記マスクの基準パターンに基づく前記基板の露光結果から前記マスクの撓み量を求める工程と、 前記撓み量に応じて前記マスクを略椀型形状に加工する工程と、を有することを特徴とするマスクの加工方法。

IPC (2件)：

G03F 7/20 ,  G03F 7/207

FI (2件)：

G03F7/20 501 ,  G03F7/207 Z

Fターム (5件)：

2H097GA21 ,  2H097GA22 ,  2H097GA45 ,  2H097KA38 ,  2H097LA11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 分割逐次近接露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-307426   出願人：日本精工株式会社
• 特許第2672535号公報