多結晶シリコン膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-102411
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312343
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】表面に結晶粒12を持つアモルファスシリコン膜11上にシリコン分子線13と原子状水素14を照射して内部に柱状結晶粒16を持つアモルファスシリコン層15を形成する。そのあと真空中で熱処理することによってアモルファスシリコン層を結晶化させ、表面に凹凸形状を持つ多結晶シリコン膜17を形成する。【構成】表面に、高いアスペクト比を持つ柱状結晶粒を有する多結晶シリコン膜を形成することができる。それによって、大きい容量を持つキャパシタの蓄電電極を作製することが可能となる。

請求項（抜粋）：

真空中で形成したアモルファスシリコン層、もしくは表面の自然酸化膜を除去したアモルファスシリコン層を、真空中、もしくはアモルファスシリコン表面と反応しない雰囲気中で加熱し、シリコン分子線を照射して、その表面に結晶粒を形成した基板上に、真空中で、基板を加熱しつつ、シリコン分子線と原子状水素を照射して、その内部に柱状の結晶粒を持つアモルファスシリコン膜を形成し、この柱状結晶粒の表面を核として結晶粒部分以外のアモルファスシリコン部分を結晶化させることを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/203 , H01L 21/20 , H01L 21/28 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

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