特許

J-GLOBAL ID：200903019479480476

半導体単結晶インゴットのスライス方法

発明者： 外山 公平 ,  木内 悦男 ,  早川 和男
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  三益半導体工業株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075587
公開番号（公開出願番号）：特開平9-262825
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 ワイヤーソー装置を用いて半導体単結晶インゴットをスライスするにあたり、半導体単結晶インゴットの劈開方向とワイヤー走行後のソーマークの方向とが一致しないように工夫することによって、スライスされた半導体単結晶ウェーハのクラック発生や割れを工程の追加やコストアップを伴うことなく防止することを可能とした半導体単結晶インゴットのスライス方法及びクラックや割れの発生の極めて少ない半導体単結晶ウェーハを提供する。【解決手段】 半導体単結晶インゴットをワイヤーソー装置でスライスする方法であり、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致させることなく該半導体単結晶インゴットをスライスする。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶インゴットをワイヤーソー装置でスライスする方法であり、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致させることなく該半導体単結晶インゴットをスライスすることを特徴とする半導体単結晶インゴットのスライス方法。

IPC (2件)：

B28D 5/04 ,  B24B 27/06

FI (2件)：

B28D 5/04 C ,  B24B 27/06 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭63-228721
  
• 単結晶の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197126   出願人：株式会社東芝
• 特開昭56-129114
  

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-228721
  
• 特開昭63-228721
  
• 単結晶の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197126   出願人：株式会社東芝
• 特開昭56-129114