特許

J-GLOBAL ID：200903019485914003

半導体装置

発明者： 小野 昇太郎 ,  齋藤 渉 ,  高下 正勝 ,  角 保人 ,  泉沢 優 ,  大田 浩史 ,  関根 渉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-137938
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294214
出願日： 2007年05月24日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：

【課題】終端耐圧を高めて高信頼性が得られる半導体装置を提供する。【解決手段】素子領域における第1導電型の第1の半導体層の主面上に設けられた第1導電型の第2の半導体層と第2導電型の第3の半導体層との周期的配列構造と、素子領域より外側の終端領域における第1の半導体層の主面上に設けられた終端半導体層と、終端半導体層より外側の最外周部における第1の半導体層の主面上で終端半導体層に接して設けられ終端半導体層よりも不純物濃度が高い第1導電型のチャネルストップ層と、チャネルストップ層の表面上の少なくとも一部の上に設けられチャネルストップ層における少なくとも表層部よりも終端半導体層側に突出したチャネルストップ電極とを備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の主面に対して略垂直な縦方向に主電流経路が形成される素子領域における前記第1の半導体層の主面上に設けられた第1導電型の第2の半導体層と、 前記第2の半導体層に隣接して前記第1の半導体層の主面上に設けられた第2導電型の第3の半導体層と、 前記第1の半導体層の主面の反対面側に設けられた第1の主電極と、 前記素子領域の表面に接して設けられた第2の主電極と、 前記素子領域より外側の終端領域における前記第1の半導体層の主面上に設けられた終端半導体層と、 前記終端半導体層より外側の最外周部における前記第1の半導体層の主面上で前記終端半導体層に接して設けられ、前記終端半導体層よりも不純物濃度が高い第1導電型のチャネルストップ層と、 前記チャネルストップ層の表面上の少なくとも一部の上に設けられ、前記チャネルストップ層における少なくとも表層部よりも前記終端半導体層側に突出したチャネルストップ電極と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高耐圧半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-077198   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-006869   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 半導体装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-412279   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084537   出願人：サンケン電気株式会社