電子素子及び電子素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-121932
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277665
出願日： 2007年05月02日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】良好なキャリア移動度を備えるウルツ鉱型結晶からなる半導体膜を用い、良好な電気的特性を有する電子素子及び電子素子の製造方法を提供する。【解決手段】電子素子10は、突起部13と、ウルツ鉱型結晶であるZnOからなる半導体膜14と、ゲート絶縁膜18と、ゲート電極31と、保護膜20とを備える。突起部13によってZnO膜14に膜外へ引っ張る力が印加される。これにより、ZnO膜14のZnO結晶のc軸長が伸び、a軸長が縮むため、ZnO膜14のキャリア移動度が向上する。また、ZnO膜14は圧縮残留応力を有し、ゲート絶縁膜18と、ゲート電極31と、保護膜20とは、それぞれ圧縮応力を有するため、さらにZnO膜14に膜外へ引っ張る力が印加されZnO膜14のキャリア移動度を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ウルツ鉱型結晶からなる半導体膜と、前記半導体膜の一面上に形成され、前記半導体膜を該半導体膜の膜外へ引っ張る向きの外力を加える外力印加膜と、を備えることを特徴とする電子素子。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/78 619A , H01L29/78 617J , H01L29/78 617S

Fターム (40件)：

5F110AA07 , 5F110AA30 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE11 , 5F110EE38 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG17 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35

引用特許：

出願人引用 (8件)

p型半導体結晶の製造方法および発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-088034 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-389846 出願人：三洋電機株式会社
酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-273746 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司

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