特許
J-GLOBAL ID：200903019510839410
磁気層構造体を備えるデバイスを製造する方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
津軽 進
, 宮崎 昭彦
, 笛田 秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-516630
公開番号（公開出願番号）：特表2006-527497
出願日： 2004年06月01日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
磁気層構造体を備えるデバイスを製造する方法であって、-前記磁気層構造体(2)を形成するステップと、-前記磁気層構造体を電流で加熱するステップとを有し、前記電流が、前記層構造体から前記層構造体の環境(4)への熱伝達特性はほとんどもたらされないような期間を有するパルス(3)になるので、前記電流パルスの前後で前記環境の温度はほぼ同じになる方法が開示されている。熱は層構造体においてかなり消費される。それ故に本方法は、隣接するデバイスのような環境を妨害することなく、磁気抵抗デバイスの磁気又は電気的特性を最適化するため、層構造体における物理プロセスの選択を可能にする。本方法は、有利なことに、ホイートストンブリッジ構成体(16)において構成される異なる磁気抵抗デバイス(12,13,14,15)のバイアス層(5,7)において異なる磁化方向(9,10)をセットするために、又は前記ホイートストンブリッジの出力特性におけるオフセットを低減するために使用され得る。
請求項（抜粋）：
磁気層構造体を備えるデバイスを製造する方法であって、
-前記磁気層構造体を形成するステップと、
-前記磁気層構造体を電流で加熱するステップと
を有し、前記電流が、前記層構造体から前記層構造体の環境への熱伝達特性はほとんどもたらされないような期間を有するパルスになり、それによって、前記電流パルスの前後の前記環境の温度はほぼ同じになる方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5E049AA04
, 5E049BA06
, 5E049CB02
, 5E049EB05
, 5E049FC10
審査官引用 (2件)
-
磁気センサ装置の製造方法
公報種別：公表公報
出願番号：特願2001-505210
出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
-
磁気抵抗素子回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-044427
出願人：三菱電機株式会社
前のページに戻る
