特許

J-GLOBAL ID：200903019522461626

張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法

発明者： 大井 浩之 ,  渡辺 雅志 ,  石川 俊文
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-340326
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186166
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 従来と同等以上の平坦性を持つ張り合わせ面を、従来よりもきわめて簡単な方法で得る。張り合わせ誘電体分離ウェーハを短時間に製造する方法を提供する。【構成】 シリコンウェーハ21の鏡面に誘電体分離用のV字溝23を、さらに酸化膜24を形成する。高温CVD法でポリシリコン膜25を成長させ、その表面を研削する。研削面にSOG26をスピンコーティングし、アニールする。SOGによる酸化膜26の表面の粗さをTTVで1.6〜2.2μm、LTVで0.4〜1.0μm程度とする。酸化膜26の表面を鏡面研磨してもよい。酸化膜26と支持ウェーハ22の鏡面とを室温で重ね合わせて密着させ、シリコンウェーハ21を支持ウェーハ22に張り合わせた後、張り合わせ熱処理を行う。さらに、シリコンウェーハの裏面を研削、研磨して酸化膜24の一部を露出させ、単結晶シリコン層を絶縁分離する。

請求項（抜粋）：

誘電体分離島を有するシリコンウェーハと支持ウェーハとを張り合わせることにより、誘電体分離ウェーハを製造する張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法において、誘電体分離用の溝を形成したシリコンウェーハの表面に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に高温CVD法によりポリシリコン膜を形成する工程と、このポリシリコン膜を研削加工する工程と、このポリシリコン膜の研削面上に絶縁物を含む流動体をスピン塗布する工程と、この塗布した絶縁物表面を支持ウェーハ表面に重ね合わせることにより、シリコンウェーハと支持ウェーハとを張り合わせる工程とを備えた張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/762 ,  C30B 33/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-217940
  
• 特開平3-265153
  
• 誘電体分離基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-295962   出願人：株式会社日立製作所, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 誘電体分離基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-234253   出願人：日本電気株式会社