特許
J-GLOBAL ID：200903019532225378
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-249273
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139641
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位と酸不安定基を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2の少なくとも一つがフッ素原子又はトリフルオロメチル基であり、残りは水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、R3、R4は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基を示す。また、R3とR4とが結合して環を形成してもよい。)【効果】 本発明のレジスト材料は、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さく、かつアルカリ現像可能なレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適であり、本発明の高分子化合物は、かかるレジスト材料のベースポリマーとして有効である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位と酸不安定基を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2の少なくとも一つがフッ素原子又はトリフルオロメチル基であり、残りは水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、R3、R4は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基を示す。また、R3とR4とが結合して環を形成してもよい。)
IPC (5件)：
C08F234/00
, C08F 8/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
C08F234/00
, C08F 8/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
